【 标准编号 】 GB/T 13151-2005 【 标准名称 】 半导体器件 分立器件第6部分:晶闸管第三篇 电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范 【 英文名称 】 Semiconductor devices-Discrete devices-Part 6:thyristors-Section three-Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors,ambient and case-rated,for currents greater than 100 A 【 发布单位 】 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局; 中国国家标准化管理委员会 【 发布日期 】 2005-3-23 【 实施日期 】 2005-10-1 【 开本页数 】 15P 【 替代标准 】 GB/T 13151-1991 【 引用标准 】 GB/T 2423.23-1995; GB/T 4589.1-1989; GB/T 4937-1995; GB/T 7581-1987GB/T 12560-1999; GB/T 15291-1994 【 采用关系 】 IDT IEC 60747-6-3:1993 【 起草单位 】 中国南车集团株洲电力机车研究所半导体厂; 北京金自天正智能控制股份有限公司半导体部; 北京变压器有限公司; 天津市整流器厂; 中国北车集团永济电机厂元件分厂; 襄樊台基半导体有限公司; 西安电力电子技术研究所 【 起 草 人 】 童宗鉴; 黎明; 王佰升; 韩立文; 张红卫; 颜家圣; 秦贤满
|
|