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ASTM F 980M-1996 测量硅半导体器件中中子感应位移故障的快速...

兑水 发表于 2009-11-27 16:35:01 | 显示全部楼层 |阅读模式

F980M-96(2003) Standard Guide for Measurement of Rapid Annealing of Neutron-Induced Displacement Damage in Silicon Semiconductor Devices [Metric]

ASTM, 中子, 位移, 半导体器件, 感应

ASTM F 980M-1996.pdf

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