新型存储芯片可保存数据10亿年

美国加州大学、劳伦斯伯克利国家实验室的科学家们推出一种新的计算机内存芯片，其数据存储量要比常规硅芯片高数千倍，且预估寿命将超过10亿年。此项发现预计将发表在6月10日美国化学协会的《纳米通信》杂志上。
　　将更多的数字图像、音乐和其他数据装入USB和智能电话中的硅芯片，就像是将更多的草莓塞进同样大小的纸箱里。塞得越多，损坏的速度就越快。现今内存卡中每平方英寸10吉至100吉的数据预估寿命只有10年至30年。而对电子行业来说，未来的iPod、智能收集和其他设备需要更高的数据存储密度。
　　研究人员称，这种最高存储密度芯片可在几分之一秒的时间内保存超高密度的数据。此内存芯片将铁纳米粒子封闭在一个中空的铁纳米管内。在电场作用下，纳米粒子以非常高的精度来回穿梭。由此创建出一个可编程的内存系统，像硅芯片一样，它可记录数字信息，并使用常规电脑硬件将其复现。
　　实验和理论研究表明，该芯片的存储密度可高达每平方英寸1万亿字节，且其温度稳定度超过10亿年。