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ASTM F 616M-1996 测量MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体...

兑水 发表于 2009-11-21 08:00:12 | 显示全部楼层 |阅读模式

F616M-96(2003) Standard Test Method for Measuring MOSFET Drain Leakage Current (Metric)

ASTM, MOSFET, 半导体场, 晶体, 氧化物

ASTM F 616M-1996.pdf

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