ASTM F 996-1998 利用次临界伏安特性测定由于氧化空穴和界...

兑水 发表于 2009-11-28 07:32:22 | 显示全部楼层 |阅读模式

F996-98(2003) Standard Test Method for Separating an Ionizing Radiation-Induced MOSFET Threshold Voltage Shift Into Components Due to Oxide Trapped Holes and Interface States Using the Subthreshold Current-Voltage Characteristics

ASTM, 临界, 测定, 特性, 空穴

ASTM F 996-1998.pdf

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ASTM F 996-1998 利用次临界伏安特性测定由于氧化空穴和界...

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