美开发出数据存储新技术

美国硅谷一家公司19日宣布开发出一种新技术，并计划利用它来制造比闪存容量更大、读写速度更快的新型存储器。
　　这家名为“统一半导体”的公司发布新闻公报说，新型存储器的单位存储密度有望达到现有NAND型闪存芯片的4倍，存储数据的速度有可能达到后者的5倍到10倍。
　　NAND型闪存因为存储容量大等特点，目前在数码产品中应用比较广泛。但也有一些专家认为，NAND型闪存未来可能遭遇物理极限，容量将无法再进一步提高。“统一半导体”表示，其制造的新型存储器旨在充当闪存的替代品和“接班人”。
　　该公司介绍说，新技术主要基于带电离子在特定材料之间的运动来实现信息的存储，其存储单元不像闪存需要采用晶体管，因此在存储密度等方面比闪存更有优势。
　　“统一半导体”计划于2010年下半年试生产容量达64G的新型存储器，并打算2011年第二季度将其投入量产。